先進(jìn)封裝之 - 2D封裝

電子集成技術(shù)分為三個(gè)層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級(jí)集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱(chēng)為SoP或者SoB）

芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對(duì)于封裝內(nèi)的集成，情況就要復(fù)雜的多。

電子集成技術(shù)分類(lèi)的兩個(gè)重要判據(jù)：1.物理結(jié)構(gòu)，2.電氣連接(電氣互連)。

目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類(lèi)型。今天小編給大家?guī)?lái)的是2D封裝，希望能對(duì)大家有所幫助！

1、2D封裝

2D封裝是指在基板的表面水平安裝所有芯片和無(wú)源器件的集成方式。2D封裝上包括FOWLP、FOPLP等技術(shù)。

物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無(wú)源器件均安裝在基板平面，芯片和無(wú)源器件和 XY 平面直接接觸，基板上的布線(xiàn)和過(guò)孔均位于 XY 平面下方；電氣連接：均需要通過(guò)基板（除了極少數(shù)通過(guò)鍵合線(xiàn)直接連接的鍵合點(diǎn)）

臺(tái)積電的InFO：

臺(tái)積電在2017年開(kāi)發(fā)的InFO技術(shù)。InFO技術(shù)與大多數(shù)封裝廠的Fan-out類(lèi)似，可以理解為多個(gè)芯片F(xiàn)an-out工藝的集成，主要區(qū)別在于去掉了silicon interposer，使用一些RDL層進(jìn)行串連（2016年推出的iPhone7中的A10處理器，采用臺(tái)積電16nm FinFET工藝以及InFO技術(shù)）。

日月光的eWLB：與臺(tái)積的InFO類(lèi)似，都屬于Fan-out技術(shù)

另外，還有一種2D+ 集成

2D+集成是指的傳統(tǒng)的通過(guò)鍵合線(xiàn)連接的芯片堆疊集成。也許會(huì)有人問(wèn)，芯片堆疊不就是3D嗎，為什么要定義為2D+集成呢？

主要基于以下兩點(diǎn)原因：

1、3D集成目前在很大程度上特指通過(guò)3D TSV的集成，為了避免概念混淆，我們定義這種傳統(tǒng)的芯片堆疊為2D+集成；

2、雖然物理結(jié)構(gòu)上是3D的，但其電氣互連上均需要通過(guò)基板，即先通過(guò)鍵合線(xiàn)鍵合到基板，然后在基板上進(jìn)行電氣互連。這一點(diǎn)和2D集成相同，比2D集成改進(jìn)的是結(jié)構(gòu)上的堆疊，能夠節(jié)省封裝的空間，因此稱(chēng)之為2D+集成。

物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無(wú)源器件均地位于XY平面上方，部分芯片不直接接觸基板，基板上的布線(xiàn)和過(guò)孔均位于XY平面下方；

電氣連接：均需要通過(guò)基板（除了極少數(shù)通過(guò)鍵合線(xiàn)直接連接的鍵合點(diǎn)）

以上是關(guān)于先進(jìn)封裝之 - 2D封裝的相關(guān)內(nèi)容，希望能您你有所幫助！

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