汽車(chē)IGBT模塊的生產(chǎn)流程
汽車(chē)IGBT模塊的生產(chǎn)流程
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當(dāng)前的新能源車(chē)的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視,那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。作為電力電子行業(yè)里的“CPU”,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是國(guó)際上公認(rèn)的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊,其功率更大、散熱能力更強(qiáng),在新能源汽車(chē)領(lǐng)域發(fā)揮著極為重要的功用和影響。
汽車(chē)IGBT模塊的生產(chǎn)流程
IGBT行業(yè)的門(mén)檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
圖:IGBT標(biāo)準(zhǔn)封裝結(jié)構(gòu)橫切面
如上圖所示,可以看到IGBT模塊橫切面的界面,目前殼封工藝的模塊基本結(jié)構(gòu)都相差不大。IGBT模塊封裝的流程大致如下:
貼片→真空回流焊接→超聲波清洗→X-ray缺陷檢測(cè)→引線(xiàn)鍵合→靜態(tài)測(cè)試→二次焊接→殼體灌膠與固化→端子成形→功能測(cè)試(動(dòng)態(tài)測(cè)試、絕緣測(cè)試、反偏測(cè)試)
貼片,首先將IGBT wafer上的每一個(gè)die貼片到DBC上。DBC是覆銅陶瓷基板,中間是陶瓷,雙面覆銅,DBC類(lèi)似PCB起到導(dǎo)電和電氣隔離等作用,常用的陶瓷絕緣材料為氧化鋁(Al2O3)和氮化鋁(AlN);
真空焊接,貼片后通過(guò)真空焊接將die與DBC固定,一般焊料是錫片或錫膏;
X-ray空洞檢測(cè),需要檢測(cè)在敢接過(guò)程中出現(xiàn)的氣泡情況,即空洞,空洞的存在將會(huì)嚴(yán)重影響器件的熱阻和散熱效率,以致出現(xiàn)過(guò)溫、燒壞、爆炸等問(wèn)題。一般汽車(chē)IGBT模塊要求空洞率低于1%;
接下來(lái)是wire bonding工藝,用金屬線(xiàn)將die和DBC鍵合,使用最多的是鋁線(xiàn),其他常用的包括銅線(xiàn)、銅帶、鋁帶;
中間會(huì)有一系列的外觀檢測(cè)、靜態(tài)測(cè)試,過(guò)程中有問(wèn)題的模塊直接報(bào)廢;
重復(fù)以上工序?qū)BC焊接和鍵合到銅底板上,然后是灌膠、封殼、激光打碼等工序;
出廠前會(huì)做最后的功能測(cè)試,包括電氣性能的動(dòng)態(tài)測(cè)試、絕緣測(cè)試、反偏測(cè)試等等。
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以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積,因工藝問(wèn)題內(nèi)容廣泛,沒(méi)有面面俱到,只對(duì)常見(jiàn)問(wèn)題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問(wèn)題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來(lái)不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時(shí)俱進(jìn),熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝,能為各種客戶(hù)提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。
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