芯片制造之集成電路晶圓的生產(chǎn)簡(jiǎn)介

集成電路晶圓生產(chǎn)（wafer fabrication）是指在晶圓表面上和表面內(nèi)制造出半導(dǎo)體器件的一系列生產(chǎn)過(guò)程。整個(gè)制造過(guò)程從硅單晶拋光片開(kāi)始，到晶圓上包含了數(shù)以百計(jì)的集成電路芯片。

芯片制造企業(yè)基本使用以下四種最基本的工藝方法，通過(guò)大量的工藝順序和工藝制造出特定的芯片。這四種基本的工藝方法為：增層（薄膜工藝，layering）、光刻（圖案化工藝，patterning）、摻雜和熱處理。下面小編將對(duì)這四種基本的工藝方法進(jìn)行簡(jiǎn)要地描述，希望能對(duì)您有所幫助！

芯片制造企業(yè)基本使用以下四種最基本的工藝方法：

一、薄膜工藝

薄膜工藝是在晶圓表面形成薄膜的加工工藝。薄膜可以是絕緣體、半導(dǎo)體或?qū)w，根據(jù)薄膜材料的不同，使用不同的工藝進(jìn)行薄膜的生長(zhǎng)或沉積。主要使用的沉積技術(shù)包括物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、蒸發(fā)和濺射，以及使用電鍍?cè)诟呙芏燃呻娐飞铣练e金屬化層。

二、圖案化工藝

圖案化工藝（有時(shí)特指光刻工藝，在此處其含義包含光刻、刻蝕、去膠三個(gè)步驟）是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。經(jīng)過(guò)此工藝，晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。在晶圓的制造過(guò)程中，晶體三極管、二極管、電容器、電阻器和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表層內(nèi)構(gòu)成。這些部件是每次在一個(gè)掩模（mask）層上生成的，并且結(jié)合生成薄膜及去除特定部分，通過(guò)圖案化工藝過(guò)程，最終在晶圓上保留特征圖形的部分。圖案化工藝是所有四個(gè)基本工藝中最關(guān)鍵的，其確定了器件的關(guān)鍵尺寸（critical dimension, CD）。

三、摻雜

摻雜是將特定量的雜質(zhì)通過(guò)薄膜開(kāi)口引入晶圓表層的工藝過(guò)程，它是為了在晶圓表面建立兜形區(qū)。它有兩種方法：熱擴(kuò)散（thermal diffusion）和離子注入(implantation)。熱擴(kuò)散是在1000度左右發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，氣態(tài)下的摻雜原子通過(guò)擴(kuò)散化學(xué)反應(yīng)遷移到暴露的晶圓表面，形成一層薄膜。離子注入則是一個(gè)物理反應(yīng)過(guò)程，首先，摻雜體原子被離子化，被電場(chǎng)加速到超高速，穿過(guò)晶圓表層，將摻雜原子注入到晶圓表層。

四、熱處理

熱處理是簡(jiǎn)單地將晶圓加熱和冷卻來(lái)達(dá)到特定結(jié)果的工藝。在晶圓制造的各個(gè)過(guò)程中，都會(huì)對(duì)晶圓進(jìn)行一系列的熱處理過(guò)程。

以上是關(guān)于芯片制造過(guò)程中集成電路晶圓的生產(chǎn)的相關(guān)內(nèi)容了，希望能對(duì)您有所幫助！

想要了解關(guān)于芯片半導(dǎo)體清洗的相關(guān)內(nèi)容，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)我們的“半導(dǎo)體封測(cè)清洗”專題了解相關(guān)產(chǎn)品與應(yīng)用 ！

合明科技是一家電子水基清洗劑 環(huán)保清洗劑生產(chǎn)廠家,其產(chǎn)品覆蓋電子加工過(guò)程整個(gè)領(lǐng)域。歡迎使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品！