半導(dǎo)體污染物鑒別分析技術(shù)與半導(dǎo)體封裝清洗劑介紹

減少半導(dǎo)體污染是提高半導(dǎo)體生產(chǎn)良率和增加利潤(rùn)率的關(guān)鍵因素之一。半導(dǎo)體污染可能來(lái)自設(shè)施、工具和工藝材料。特別是在開(kāi)發(fā)先進(jìn)工藝時(shí)，為生產(chǎn)設(shè)施和工藝制定單獨(dú)的污染基線(xiàn)和潔凈度規(guī)范尤為重要。為了快速解決污染問(wèn)題，重要的是確定污染物并追蹤其來(lái)源。

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半導(dǎo)體污染物鑒別分析技術(shù)：

1、化學(xué)分析技術(shù)

化學(xué)分析技術(shù)能夠檢測(cè)液體中的痕量雜質(zhì)，包括電感耦合等離子體質(zhì)譜法（ICP-MS）、電感耦合等離子體發(fā)射光譜法（ICP-OES）、石墨爐原子吸收光譜法（GFAAS）、離子色譜法（IC）和氣相色譜質(zhì)譜法（GC-MS）。

ICP-MS、ICP-OES和GFAAS在許多實(shí)驗(yàn)室中一起使用，相互補(bǔ)充。GFAAS的主要優(yōu)點(diǎn)是可以分析極小體積（μL）的樣品，并且對(duì)大多數(shù)元素的檢出限顯著低于ICP-OES。ICP-OES相對(duì)于GFAAS的主要優(yōu)點(diǎn)是其多元素分析能力和良好的動(dòng)態(tài)線(xiàn)性范圍。ICP-MS具有比GFAAS更低的檢出限，結(jié)合ICP-OES的多元素能力，這使得ICP-MS非常適合需要超低檢出限和多元素分析的應(yīng)用。

lC可以檢測(cè)陰、陽(yáng)離子，并且分離干擾，這使得該技術(shù)在分析超純水、溶劑、清洗液、電鍍液和其他化學(xué)品中的痕量污染以及從超純水提取中收集的殘留物分析方面具有吸引力。

將氣相色譜和用于檢測(cè)和鑒定的質(zhì)譜結(jié)合的GC-MS成為一種非常強(qiáng)大的分析工具。潔凈室環(huán)境中的有機(jī)物可能會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題，它會(huì)改變表面疏水性，降低擊穿電壓，形成碳化硅而影響氧化物的生長(zhǎng)和質(zhì)量，導(dǎo)致無(wú)意摻雜，并導(dǎo)致霧霾的形成。

GC-MS可以監(jiān)測(cè)主要的有機(jī)污染源，如潔凈室建筑材料和聚合物、潔凈室空氣、超純水和化學(xué)品。有機(jī)污染的第二個(gè)來(lái)源是來(lái)自潔凈室配件，如服裝、手套、無(wú)塵布、硅片和包裝容器。

2、微量分析技術(shù)

目前有許多分析技術(shù)能夠表征固體材料（包裝材料、塑料、硅片、薄膜、顆粒物、金屬靶材、設(shè)備零部件等）中的污染物。這些分析技術(shù)中的許多都涉及到使用電子、光子或離子束來(lái)探測(cè)樣品。主光束作為激發(fā)源，以某種方式與材料相互作用。

深度剖面是材料作為深度函數(shù)的表征。大多數(shù)技術(shù)可以通過(guò)改變分析條件來(lái)改變探測(cè)深度，一層一層地去除表面，同時(shí)收集數(shù)據(jù)。濺射過(guò)程在真空室中進(jìn)行，以確保在分析期間暴露的表面保持無(wú)污染。使用這一原理的分析技術(shù)包括 SIMS、TOF-SIMS、俄歇電子能譜儀（AES）和XPS。分析信息來(lái)自于在主光束轟擊期間從樣品中濺射出的電子、光子或離子。在大多數(shù)情況下，幾個(gè)相關(guān)的量子過(guò)程或多或少同時(shí)發(fā)生，分析技術(shù)會(huì)集中在某一特定方面。

傅里葉變換紅外光譜（FTIR）和透射電子顯微鏡（TEM）用于監(jiān)測(cè)與樣品相互作用后主光束（能量、強(qiáng)度和角分布）的變化。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100介紹

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100是合明科技開(kāi)發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于浸沒(méi)式的清洗工藝。適用于清洗去除半導(dǎo)體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線(xiàn)框架、分立器件、功率模塊、倒裝芯片、攝像頭模組等。本品是PH中性的水基清洗劑，因此具有良好的材料兼容性。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、本品可以用去離子水稀釋后使用，稀釋后為均勻單相液，應(yīng)用過(guò)程簡(jiǎn)單方便。

2、產(chǎn)品PH值呈中性，對(duì)鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。

3、不含鹵素，材料環(huán)保；氣味清淡，使用液無(wú)閃點(diǎn)，使用安全，不需要額外的防爆措施。

4、由于 PH 中性，減輕污水處理難度。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100的適用工藝：

水基清洗劑W3100適用于浸沒(méi)式的清洗工藝。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100產(chǎn)品應(yīng)用：

水基清洗劑W3100是合明科技開(kāi)發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，適用于清洗去除半導(dǎo)體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線(xiàn)框架清洗、分立器件清洗、功率模塊清洗、倒裝芯片清洗、攝像頭模組清洗等。本產(chǎn)品PH值呈中性，對(duì)鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。

具體應(yīng)用效果如下列表中所列：